1吋桌面式快速退火炉

一、快速退火炉简介及用途

快速退火炉系列产品，采用红外辐射加热及冷壁技术，可实现对实验材料的快速升温和降温，同时搭配超高精度的温度控制系统，可达到极佳的温场均匀性，对材料的快速热处理、快速退火、快速热氧化、快速热氮化及金属合金化等研究和生产工作起到重要作用。广泛应用于高校、科研院所、第三方检测机构、半导体制造企业等。

二、快速退火炉性能特点

● 快速加热和降温: 最高可控升温速率可达50 ℃/s，特定条件下可以达到100 ℃/s。冷壁水冷设计能够达到较大的降温速率，特定条件下可达30 ℃/s。

● 精确控温: 采用工业级温控器进行PID精确控温，目标温度与设定温度曲线一致性高，可实现室温至1200 ℃的温度精确控制。

● 适应多种工艺环境: 满足多种工艺气氛下的热处理（氮气、氩气等）。同时，通过选配真空泵，可以在真空条件下进行退火，最高真空度可达10-3Pa。

● 配备观察窗口: 通过观察窗口，可以实时观察热处理过程中的样品变化。同时，可以结合相关测试方法进行原位测试分析。

● 超高安全系数: 采用炉壁超温报警系统和冷却水流量报警系统，全方位保障仪器使用安全。

● 国产退火炉：拥有自主研发技术和制造能力，能快速反应客户售后需求。

三、快速退火炉主要技术参数

四、应用功能

应用功能

快速热处理(RTP)、快速退火(RTA)、快速热氧化(RTO)、快速热氮化(RTN) ……

薄膜沉积后退火、离子注入退火、电极接触退火 、去应力退火

合金化退火、热扩散、致密化  、结晶、烧结、氧化制程

低介电材料热处理、化合物半导体退火、多晶硅退火、硅化

热疲劳循环测试、合金熔点分析、耐热性测试、材料制备

基片类型

硅片、碳化硅基片、化合物半导体基片、用于LED的GaN/蓝宝石基片、用于太阳能电池的多晶硅基片、石墨和镀碳化硅的石墨基座、玻璃基片、金属、聚合物等。

器件类型

光电芯片、射频芯片、MEMS传感器芯片、功率器件、CMOS芯片、模拟芯片、分立器件、光伏器件、显示器件、存储器芯片、光电子芯片、MEMS芯片的制造等。

应用材料

电子材料、陶瓷与无机材料、金属材料、复合材料 、功能薄膜材料……   

定制化应用(创新实验)

原位光学观察、相变测试、原位电学测试、测热膨胀系数……

五、应用案例展示

六、产品视频展示

七、合作高校展示

八、企业实力