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拉曼光谱技术作为一种先进的分析手段，在材料科学领域发挥着关键作用。该技术通过精确解析材料的分子振动模式和化学键特征，为研究人员提供了深入理解材料微观结构的有效途径，对新型功能材料的研发具有重要指导意义。 嘉仪通科技为北京量子研究院的拉曼光谱测试系统量身定制了专业冷热台装置，成功实现了硫化钼材料在宽温度范围内的拉曼光谱表征。该定制化解决方案有效解决了材料温度依赖性研究的实验需求，为二维材料的物性研究提供了可靠的技术支持。 该冷热台系统具有以下创新性设计： 1.多功能温度调控模块：创新性地整合了低温测试功能，可在-196°C至600°C的宽温度范围内实现精确控温，满足材料在不同温度条件下的光谱测试…
4月23日，2025九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会在光谷国际会展中心盛大开幕。作为国内化合物半导体领域规模大、层次高的行业盛会，本届论坛吸引了全球近300家产业链龙头企业齐聚，覆盖从材料、设备到制造、应用的全产业链生态。 嘉仪通科技作为半导体材料物性分析领域的表征设备供应商，连续三年深度参与这一行业盛事。今年，公司重点展出的快速退火炉、霍尔效应测试仪、晶圆探针台等硬核设备，正是化合物半导体材料研发与量产的关键”标尺”——这些设备可精准测定材料的电学、热学及结构特性，为新一代半导体材料的性能优化提供数据支撑。 和缪向水院长（中）合影（华中科技大学集成电路学院院长、国家…
在放射性核素U(VI)分离与污染治理的研究中，我们会使用一些光催化材料，这是一类能够利用光能来促使化学反应发生。主要应用领域有水制氢、污水处理、有机合成和药物制备等。 例如污水处理的光催化材料有：二氧化钛、锐钛矿、钙钛矿、铟酸锶、g-C3N4、COFs、MOFs、纳米材料等。这些材料在低温时，分子多数处于较稳定的基态，这会降低分子发生非辐射转移的机率，从而使得分子的荧光发射途径更为单一，荧光强度增加。 嘉仪通液氮低温恒温器正好提供了一个宽温区和高精准度的温度环境，并带有光学窗口（能够透过光源），与荧光分光光度计联用，测定不同温度下样品的荧光强度。 东华理工大学利用嘉仪通液氮低温恒温器、分光光度…
2025年3月5日，杭州镓仁半导体有限公司宣布全球首颗8英寸氧化镓单晶衬底成功问世，标志着中国半导体产业在第四代材料领域实现跨越式突破。作为镓仁半导体的核心合作伙伴，武汉嘉仪通科技有限公司凭借自主研发的霍尔效应测试仪HET系列，为其氧化镓单晶产品提供了第三方检测支持，以高精度、多维度的电学性能数据验证了材料的产业化潜力。 针对8英寸氧化镓单晶衬底的导电型与UID两种晶体，武汉嘉仪通（Jouleyacht）霍尔效应测试仪通过范德堡法同步测定了电阻率、载流子浓度等关键参数： 导电型晶体：电阻率低至25mΩ·cm，载流子浓度达2.9×10¹⁸ cm⁻¹； UID晶体：电阻率高达664mΩ·…
2025年2月28日，中国计量科学研究院三位资深专家莅临嘉仪通科技股份有限公司，围绕变温霍尔测试系统展开深度技术交流，为材料热物性测试领域的技术创新注入强劲动能。 此次交流活动，是嘉仪通与中国计量院深化产学研合作的重要举措。中国计量院作为计量科学研究中心和法定计量技术机构，在材料测试领域拥有雄厚的技术实力和丰富的经验积累。三位专家分别来自中国计量院热工所和材料所，在变温霍尔测试、材料热物性分析等领域有着深厚的造诣。 交流会上，嘉仪通研发团队详细介绍了公司自主研发的变温霍尔测试系统，该系统实现了从低温到高温的宽温区精准测量，为材料性能研究提供了更全面、更精准的数据支撑。中国计量院专家对嘉仪通在变…
霍尔效应作为一种重要的电磁现象，其参数的准确测量对于理解材料在电磁场中的行为至关重要。而变温霍尔测量则能够揭示材料在不同温度下的霍尔效应变化规律，为材料科学、电子工程和凝聚态物理等领域的研究提供宝贵数据。 嘉仪通公司专业定制的冷热台设备，是能够轻松融入电磁场环境中，并与高精度数字源表实现无缝连接，在磁场中进行变温霍尔参数测量的强大工具。 上海同济大学用冷热台LND设备放入电磁场中，连接2块Keithley 2400表，在80K~RT温度范围下，进行变温霍尔效应、磁阻测量。此次实验的成功，也验证了冷热台与数字源表联用在电磁场中测量变温霍尔参数的可行性和准确性。
离子注入工艺是把杂质离子加速后入射到材料中去，离子束与材料中的原子或分子将发生一系列物理的和化学的相互作用，入射离子逐渐损失能量，最后停留在材料中，并引起材料表面成分、结构和性能发生变化，从而优化材料表面性能，或获得某些新的优异性能。 离子注入后将原子撞出晶格结构而造成晶格损伤，通过快速退火使原材料的原子和杂质原子在热的作用下发生移动，并最终扩散到晶格点，形成电学，活性的离子掺杂。 嘉仪通快速退火炉系列，有着高温场均匀性，采用红外辐射加热技术同时搭配高精度温度控制系统，可实现样品快速升温和退火，对新材料相关的RTP研究工作起到重要作用。
半导体材料要实现功能化，意味着要实现电信号的输入与输出，需要半导体材料与金属电极形成良好的欧姆接触。通过快速退火将金属与接触材料融合降低接触电阻。 我们以半导体硅和金属钛的合金化退火为例： 一定温度下，钛金属和半导体硅材料获得能量互相扩散，在界面处发生熔合，实现更加紧密的接触，从而降低接触电阻。减少因接触问题造成的电学测试干扰，降低功耗，减少发热，提高可靠性和寿命
霍尔效应测试仪是一种广泛应用于金属、半导体、电子、无机、复合等材料科学领域的实验设备，可以帮助研究人员和工程师们更好地理解材料的电学性质。 霍尔效应的本质是固体材料中的载流子在外加磁场中运动时,因为受到洛仑兹力的作用而使轨迹发生偏移,并在材料两侧产生电荷积累,形成垂直于电流方向的电场,最终使载流子受到的洛仑兹力与电场斥力相平衡,从而在两侧建立起一个稳定的电势差即霍尔电压。正交电场和电流强度与磁场强度的乘积之比就是霍尔系数。平行电场和电流强度之比就是电阻率。 制作一个形状规则的样品，长度L，面积S，厚度t，输入恒定电流I的情况下，测得输出电压U： 我们就能首先测到电阻R=U/I 然后计算电阻率ρ…
RTP快速退火炉以其快速升降温能力和高度的温度均匀性，在金属/SiC欧姆接触的制备过程中展现出了高稳定性。通过精准调控退火工艺参数，RTP能够快速激活金属与SiC界面处的化学反应，促进“化合物降低势垒”或“碳空位减薄势垒”机制的发生，从而显著提升欧姆接触的稳定性。 RTP快速退火炉和普通管式炉制备SiC芯片的性能对比 实验数据表明，采用嘉仪通RTP快速退火炉制备的SiC芯片，在I-V测试中展现出了完美的线性特征，这是欧姆接触形成的直接标志。同时，其接触电阻极低，远低于50 Ω，充分证明了RTP技术在提升欧姆接触质量方面的卓越性能。 相比之下，传统的管式炉等退火设备，难以达到理想的效果。由于升降…
