RTP快速退火炉系列产品,采用红外辐射加热及冷壁技术,可实现对实验材料的快速升温和降温,同时搭配超高精度的温度控制系统,可达到极佳的温场均匀性,对材料的快速热处理、快速退火、快速热氧化、快速热氮化及金属合金化等研究和生产工作起到重要作用。广泛应用于高校、科研院所、第三方检测机构、半导体制造企业等。
快速热处理(RTP)、快速退火(RTA)、快速热氧化(RTO)、快速热氮化(RTN) ……
薄膜沉积后退火 | 合金化退火 | 低介电材料热处理 | 热疲劳循环测试 |
离子注入退火 | 热扩散、致密化 | 化合物半导体退火 | 合金熔点分析 |
电极接触退火 | 结晶、烧结 | 多晶硅退火 | 耐热性测试 |
去应力退火 | 氧化制程 | 多晶硅退火 | 材料制备 … … |
硅片、碳化硅基片、化合物半导体基片、用于LED的GaN/蓝宝石基片、用于太阳能电池的多晶硅基片、石墨和镀碳化硅的石墨基座、玻璃基片、金属、聚合物等。
光电芯片、射频芯片、MEMS传感器芯片、功率器件、CMOS芯片、模拟芯片、分立器件、光伏器件、显示器件、存储器芯片、光电子芯片、MEMS芯片的制造等。
电子材料、陶瓷与无机材料、金属材料、复合材料 、功能薄膜材料……
原位光学观察、相变测试、原位电学测试、测热膨胀系数……
设备系列 | RTP-3-04 | RTP-3-06 | RTP-3-08 | RTP-3-12 |
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最大样品尺寸(∮) | 100mm | 150mm | 200mm | 300mm |
控温范围 | RT~1200℃ | |||
最快升温速率 | 150℃/s | 150℃/s | 150℃/s | 150℃/s |
最大降温速率 | 1200℃/min | 1200℃/min | 1200℃/min | 1200℃/min |
控温精度 | ±0.5℃ | ±1℃ | ±1℃ | ±1℃ |
温度均匀性 | ≤1% | ≤1.5% | ≤1.5% | ≤1.5% |
气体氛围 | 1-6路可选,转子流量计或MFC控制,量程可定制 |
截止2024年5月,已有客户包括华中科技大学、哈尔滨工业大学等知名高校共计30余篇论文引用了RTP快速退火炉系列产品的测试结果。
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